买卖IC网 >> 产品目录 >> SI9933BDY-T1-GE3 MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI9933BDY-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 20 V
闸/源击穿电压 +/- 12 V
漏极连续电流 3.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 60 mOhms
配置 Dual
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOIC-8 Narrow
封装 Reel
相关资料
属性
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代理商 SI9933BDY-T1-GE3
SI9933CDY
SI9933CDY-T1-E3
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SI9933CDY-T1-GE3
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  • SI9933BDY-T1-GE3 参考价格
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